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每日一練
章節(jié)練習(xí)
一級(jí)結(jié)構(gòu)工程師電工電子技術(shù)問(wèn)答題每日一練(2019.05.06)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)
1.問(wèn)答題
N型半導(dǎo)體中的自由電子多于空穴,而P型半導(dǎo)體中的空穴多于自由電 子,是否N型半導(dǎo)體帶負(fù)電,而P型半導(dǎo)體帶正電?
參考答案:
N型半導(dǎo)體中五價(jià)雜質(zhì)原子的一個(gè)價(jià)電子被擠入更外層而掙脫原子核束縛成為自由電子時(shí),該雜質(zhì)原子便失去一個(gè)電子而成為帶正電的離...
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2.問(wèn)答題
晶體管具有電流放大作用,其外部條件和內(nèi)部條件各為什么?
參考答案:
內(nèi)部結(jié)構(gòu)條件——發(fā)射區(qū)高摻雜,其中多數(shù)載流子濃度很高,基區(qū)很薄,且低摻雜,則基區(qū)中多子的濃度很低...
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3.問(wèn)答題
什么是理想運(yùn)算放大器,理想運(yùn)算放大器工作在線性區(qū)和飽和區(qū)時(shí)各有何特點(diǎn),分析方法有何不同。
參考答案:
理想運(yùn)算放大器是滿足理想化條件的運(yùn)算放大器。
理想條什:(1)開環(huán)電壓放大倍數(shù)A→∞。<...
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4.問(wèn)答題
二極管的伏安特性上有一個(gè)死區(qū)電壓。什么是死區(qū)電壓?硅管和鍺管的死區(qū)電壓的典型值約為多少?
參考答案:
當(dāng)正向超過(guò)某值Us時(shí),正向電流才迅速增大,這個(gè)Us值就稱為死區(qū)電壓。出現(xiàn)死區(qū)電壓的原因是由于PI\I結(jié)形成后,空間電荷區(qū)...
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5.問(wèn)答題
為什么二極管的反向飽和電流與外加反向電壓基本無(wú)關(guān),而當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí),又明顯增大?
參考答案:
反向電流達(dá)到飽和,不隨外加電壓(反向電壓)變化。這是因?yàn)榉聪蝻柡碗娏魇怯缮贁?shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)形成,少于的數(shù)量很小,稍加反向...
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