柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

計算機中機器訪問的最小單位被稱為（）。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

若I/O類指令采用獨立編址，對系統(tǒng)帶來的影響主要是（）。

將十進制數(shù)（-0.288）10轉(zhuǎn)化成二進制數(shù)，要求小數(shù)點后保留7位數(shù)值位，正確結(jié)果為（）。

存儲器堆棧需要設(shè)置一個專門的硬件寄存器，稱為（），而寄存器堆棧則沒有。

從給定的選項中選擇認(rèn)為正確的一項。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令（1）近距離設(shè)備與主機間傳輸數(shù)據(jù)，適合選用（）接口。（2）遠(yuǎn)程終端及計算機網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機的設(shè)備傳輸信息，更適合選用（）接口。（3）接口與端口是兩個不同的概念，（）是指接口電路中可以被CPU直接訪問的寄存器。（4）CPU通過（）可以從有關(guān)端口讀取信息。（5）CPU也可以通過（）把信息寫入有關(guān)端口。

將十六進制數(shù)（1A5）16轉(zhuǎn)換為十進制數(shù)，正確結(jié)果為（）。

從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.半加器B.全加器C.原碼D.補碼E.數(shù)據(jù)校驗F.檢查溢出G.正確H.錯誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點數(shù)的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補碼直接參與運算，其中（）加減法運算的實現(xiàn)規(guī)則最簡單，電路實現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補碼加減法運算一定要（），否則無法確定是否正確。（4）使用雙符號位執(zhí)行加減法運算后，若兩個符號位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運算中數(shù)值位向符號位進位，或符號位向更高位進位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個進位輸出的（）操作來判斷。

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。