A.先取操作數(shù)絕對(duì)值相乘,符號(hào)位單獨(dú)處理
B.用原碼表示操作數(shù),然后直接相乘
C.被乘數(shù)用原碼表示,乘數(shù)取絕對(duì)值,然后相乘
D.乘數(shù)用原碼表示,被乘數(shù)取絕對(duì)值,然后相乘
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A.原碼
B.絕對(duì)值的補(bǔ)碼
C.補(bǔ)碼
D.絕對(duì)值
下列關(guān)于定點(diǎn)數(shù)一位原碼乘法的描述正確的是()。
Ⅰ.符號(hào)位不參與運(yùn)算,根據(jù)數(shù)值位的乘法運(yùn)算結(jié)果確定結(jié)果的符號(hào)位
Ⅱ.在原碼一位乘法過程中,所有的移位均是算術(shù)移位操作
Ⅲ.假設(shè)兩個(gè)n位數(shù)進(jìn)行原碼一位乘,部分積至少需要使用n位寄存器
A.Ⅱ、Ⅲ
B.只有Ⅱ
C.只有Ⅲ
D.全錯(cuò)
A.被乘數(shù)連同符號(hào)位與原部分積相加后,右移一位
B.被乘數(shù)絕對(duì)值與原部分積相加后,右移一位
C.被乘數(shù)連同符號(hào)位右移一位后,再與原部分積相加
D.被乘數(shù)絕對(duì)值右移一位后,再與原部分積相加
A.絕對(duì)值的補(bǔ)碼、在形成商值的過程中自動(dòng)形成
B.補(bǔ)碼、在形成商值的過程中自動(dòng)形成
C.補(bǔ)碼、由兩數(shù)符號(hào)位“異或”形成
D.絕對(duì)值的補(bǔ)碼、由兩數(shù)符號(hào)位“異或”形成
A.01100101
B.10010100
C.10010101
D.01100100
最新試題
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計(jì)算D.數(shù)據(jù)計(jì)算E.控制器設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單F.控制器設(shè)計(jì)復(fù)雜(1)一個(gè)指令周期中,()是每一條指令都必須執(zhí)行的,所完成的功能對(duì)所有指令都相同。(2)一個(gè)指令周期中,()對(duì)多數(shù)指令所完成的功能是類似的。(3)一條指令在執(zhí)行過程中,一定要完成()并保存,以保證程序自動(dòng)連續(xù)執(zhí)行。(4)指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是()。(5)指令流水線方式是提高計(jì)算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施,但它的()。
計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是()。
()又稱為萬(wàn)國(guó)碼,是由許多語(yǔ)言軟件制造商聯(lián)盟制定的可以容納世界上所有文字和符號(hào)的字符編碼方案。
將十進(jìn)制數(shù)(-0.288)10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù),要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位,正確結(jié)果為()。
使用硬件堆棧時(shí),其中()移動(dòng)。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或(1)加法器是由()和相應(yīng)的邏輯電路組成的。(2)定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號(hào)位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算,其中()加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡(jiǎn)單,電路實(shí)現(xiàn)也最方便。(3)執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要(),否則無(wú)法確定是否正確。(4)使用雙符號(hào)位執(zhí)行加減法運(yùn)算后,若兩個(gè)符號(hào)位不同,即出現(xiàn)01和10,表示運(yùn)算結(jié)果()。(5)在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號(hào)位進(jìn)位,或符號(hào)位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出,可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的()操作來(lái)判斷。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫出[X]反,正確結(jié)果為()。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。