已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

將十進(jìn)制數(shù)（-0.288）10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù)，要求小數(shù)點后保留7位數(shù)值位，正確結(jié)果為（）。

柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

已知定點小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

在現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中，用機(jī)器指令編寫的程序可以由（）進(jìn)行解釋。

刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。

在計算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量？（）

從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對于同一個數(shù)值，它的（）與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號位相反。（2）浮點數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點的位置可以在數(shù)據(jù)位移動的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來的。（5）在實用中把浮點數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項處理稱之為（）。