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判斷題電子設(shè)備外部干擾的產(chǎn)生與電子設(shè)備或系統(tǒng)本身的結(jié)構(gòu)以及外部環(huán)境因素有關(guān)。

1.判斷題容量為600～4000kV·A的裝置一般采用GO晶閘管，而容量為4000kV·A以上的裝置才采用普通晶閘管。

2.判斷題電力晶體管（GR）最大容量為1 200V400A，最佳工作頻率約為1～10kHz，適用于500V·A以上的應用場合。

3.判斷題電力半導體器件額定電流的選擇依據(jù)是必須大于器件在電路中實際承受的平均電壓，并有2～3倍的裕量。

4.判斷題晶閘管的額定正向平均電流是指：在環(huán)境溫度為+40 ℃，標準散熱及元件導通條件下，陽極和陰極間可連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。

5.判斷題電力半導體器件一般工作在較為理想的開關(guān)狀態(tài)，其顯著特點是導通時壓降很低，關(guān)斷時泄漏電流很小，消耗能量很少或幾乎不消耗能量，具有高效率和節(jié)能的特點。