一個(gè)1V直流電壓源對(duì)一階零狀態(tài)RC電路充電一個(gè)τ后，再放電一個(gè)τ，此時(shí)電容電壓為（）。

測(cè)量電感元件的電壓電流相位關(guān)系時(shí)，為了獲得近似90°的電壓、電流波形相位差，信號(hào)源的頻率應(yīng)（）。

用示波器測(cè)試相位差，如下方法哪個(gè)測(cè)得的結(jié)果誤差較?。浚ǎ?/p>

關(guān)于一階RC低通濾波器的截止頻率fc，如下描述中哪一項(xiàng)是正確的？（）?

某RC低通濾波器的參數(shù)是R=100Ω、C=0.1μF，信號(hào)源內(nèi)阻是50Ω，測(cè)試幅頻特性的過程中，如果對(duì)信號(hào)的幅度不做任何調(diào)整，如下說(shuō)法正確的是（）。

圖示電路中，要使電流I增大到3I，則21Ω的電阻應(yīng)換為（）。

一個(gè)線性非時(shí)變單口網(wǎng)絡(luò)，開路電壓6V，短路電流1A。外接一個(gè)（）電阻可從單口網(wǎng)絡(luò)獲得最大功率，最大功率是（）。

測(cè)試MOSFET放大電路放大倍數(shù)時(shí)，通常不能采用以下哪種做法？（）

圖示正弦穩(wěn)態(tài)雙口具有什么樣的濾波？（）

如圖所示電路，電壓u等于（）V。