IEC和我國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，操作沖擊電壓波形的波前時(shí)間為T(mén)1=250μs，容許偏差+20%。

M型介質(zhì)試驗(yàn)器的最高測(cè)試電壓為交流2500V。

對(duì)于充油設(shè)備，只有在（）合格后方可進(jìn)行破壞性試驗(yàn)。

用西林電橋測(cè)試tanδ時(shí)消除表面泄漏電流的接線方法是利用（）將表面泄漏電流直接回流到試驗(yàn)電源。

當(dāng)被試品具有較大電容時(shí)，tanδ測(cè)試只能反映整體的絕緣狀況。

當(dāng)直流電壓加到被試品上時(shí)，絕緣介質(zhì)內(nèi)部或表面的帶電粒子作定向移動(dòng)形成的電流稱為（）。

全電路歐姆定律表明，在閉合回路中，電流的大小與電源電動(dòng)勢(shì)成（），與整個(gè)電路的電阻成反比。

幾個(gè)不等值的電阻串聯(lián)，每個(gè)電阻中通過(guò)的電流不相等。

tanδ測(cè)試時(shí)，隨著試驗(yàn)電壓U的變化，tanδ值呈開(kāi)口環(huán)曲線，則試品屬于（）。

氣體間隙的擊穿電壓與電場(chǎng)是否均勻（）。