變?nèi)莨苷{(diào)頻器的部分電路如圖所示，其中，兩個變?nèi)莨艿奶匦酝耆嗤?，均為C_j=C_j0／（1＋u／u_φ）γ，ZL₁及ZL₂為高頻扼流圈，C₁對振蕩頻率短路。試推導：
（1）振蕩頻率表示式；
（2）基波最大頻偏；
（3）二次諧波失真系數(shù)。

圖示為晶體振蕩器直接凋頻電路，試說明其工作原理及各元件的作用。

如圖所示變?nèi)莨蹻M電路，f_c=360MHz，γ=3，υ_φ=0.6V，υ_Ω（t）=cosΩtV。圖中Lc為高頻扼流圈，C₃、C₄和C₅為高頻旁路電容。
（1）分析此電路工作原理并說明其它各元件作用；
（2）調(diào)節(jié)R₂使變?nèi)莨芊雌妷簽?V，此時C_jΩ=20pF，求L；
（3）計算最大頻偏和二階失真系數(shù)。

調(diào)頻振蕩器回路由電感L和變?nèi)荻O管組成。L=2uH，變?nèi)荻O管參數(shù)為：C_j0=225pF，γ=0.5，υ_φ=0.6V，E_Q=-6V，調(diào)制電壓為υ_Ω（t）=3cos（10⁴t）V。求輸出調(diào)頻波的
（1）載頻；
（2）由調(diào)制信號引起的載頻漂移；
（3）最大頻偏；
（4）調(diào)頻系數(shù)；
（5）二階失真系數(shù)。

調(diào)頻振蕩器回路的電容為變?nèi)荻O管，其壓控特性為C_j=C_j0/（1+2u）1/2。為變?nèi)荻O管反向電壓的絕對值。反向偏壓E_Q=4V，振蕩中心頻率為10MHz，調(diào)制電壓為υ_Ω（t）=cosΩtV。
（1）求在中心頻率附近的線性調(diào)制靈敏度；
（2）當要求K_f2＜1％時，求允許的最大頻偏值。