A.載流子
B.電子
C.電荷
D.聲子
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A.CMOS圖像傳感器的像元結(jié)構(gòu)包括無源像素(PPS)結(jié)構(gòu)和有源像素(APS)結(jié)構(gòu)
B.CMOS攝像器件集成能力強(qiáng)、體積小、工作電壓?jiǎn)我?、功耗低、?dòng)態(tài)范圍寬、抗輻射和制造成本低
C.CMOS攝像器件需進(jìn)一步提高器件的信噪比和靈敏度
D.難與驅(qū)動(dòng)電路及信號(hào)處理電路單片集成,需要使用相對(duì)高的工作電壓,制造成本比較高
A.光敏電阻
B.真空光電管
C.發(fā)光二極管
D.光電二極管
A.光電發(fā)射效應(yīng),又稱外光電效應(yīng)
B.金屬光電發(fā)射量子效率都很低,且大多數(shù)金屬的光譜響應(yīng)都在紫外或遠(yuǎn)紫外區(qū)
C.半導(dǎo)體光電發(fā)射的量子效率遠(yuǎn)高于金屬:光電發(fā)射的過程是體積效應(yīng),表面能帶彎曲降低了電子逸出功,特別是負(fù)電子親和勢(shì)材料(NEA)
D.良好的光電發(fā)射體,應(yīng)該具備的基本條件之一是表面勢(shì)壘高
A.P區(qū)
B.N區(qū)
C.中間區(qū)
D.結(jié)區(qū)
A.它們的摻雜濃度不同,光電池?fù)诫s濃度較低,而光電二極管摻雜濃度高
B.它們的電阻率不同,光電池的電阻率低
C.工作電壓偏置條件不同,光電池通常在零偏置下工作,而硅光電二極管通常在反向偏置下工作
D.它們的光電流的大小不同,硅光電二極管的光電流小得多,通常在微安級(jí)
最新試題
?由纖芯橫向錯(cuò)位引起的()損耗,是連接損耗的重要原因。
根據(jù)工作原理可以將光開關(guān)分為()。
?熒光燈的發(fā)光激勵(lì)方式是()發(fā)光。
電子槍的第一個(gè)作用是()電子。
?復(fù)合發(fā)光發(fā)生在導(dǎo)帶與價(jià)帶之間,稱為()躍遷復(fù)合。
()是指光波分復(fù)用器件輸出端口的光進(jìn)入非指定輸出端口光能量大小。
?垂直于傳播方向單位面積上的發(fā)光強(qiáng)度稱為()。
?襯盤材料應(yīng)滿足()。
?數(shù)據(jù)是在光盤生產(chǎn)光程中刻入的,用戶只能從光盤中反復(fù)讀取數(shù)據(jù),這種光盤被稱為()。
衡量輸入光功率中從連接器反射并沿輸入通道反向傳輸?shù)墓夤β收驾斎牍夤β实姆蓊~稱為()。?