A.可控硅承受反向電壓時(shí)將繼續(xù)導(dǎo)通
B.可控硅易損壞
C.當(dāng)可控硅承受反向電壓時(shí)將關(guān)斷
D.可控硅損耗電能大
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A.更換更大規(guī)格的熔絲
B.更換同規(guī)格的新熔絲
C.更換略小規(guī)格的熔絲
D.更換相同規(guī)格的熔斷器和熔絲
A.電阻測(cè)量法
B.電阻短接法
C.電壓測(cè)量法
D.以上方法都可以
A.中性線的作用是使不對(duì)稱負(fù)載得到對(duì)稱的電流
B.中性線的作用是使不對(duì)稱負(fù)載得到對(duì)稱的電壓
C.中性線上能裝開關(guān)
D.中性線能裝熔斷器
A.0.6
B.0.7
C.0.8
D.1
A.應(yīng)用溫度
B.轉(zhuǎn)變溫度
C.臨界溫度
D.儲(chǔ)存溫度
最新試題
與線性電感的電感量有關(guān)的因素是()
單相變壓器的額定電壓400V,額定電流,50A額定容量()kVA。
磁通量的單位為()
74LS00的芯片是一個(gè)14個(gè)引腳的芯片,在這個(gè)芯片的內(nèi)部含有4個(gè)與非門。()
兩個(gè)電阻R1和R2并聯(lián),若R1=2R2,R1消耗的功率為1W,則R2消耗的功率為()
下列不是根據(jù)電磁感應(yīng)原理制造的電器是()
當(dāng)穿過(guò)線圈的磁通發(fā)生變化時(shí),線圈兩端感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小與之成正比的是()
選擇電容器時(shí),除考慮標(biāo)稱容量之外,還要考慮其()
將毫伏表改裝成一個(gè)大量程的伏特表需()
如果要構(gòu)成n位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器,需用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的個(gè)數(shù)最少為()。