A.框式
B.交疊式
C.冷軋
D.同心式
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
圖示電路中,10A電流源()
A.產(chǎn)生120W功率
B.吸收120W功率
C.產(chǎn)生480W功率
D.吸收480W功率
A.電路增益過(guò)大
B.反饋系數(shù)過(guò)大
C.反饋深度過(guò)大
D.各級(jí)放大電路的參數(shù)分散
A.6.82μH
B.68.2μH
C.682μH
D.6800μH
A.M=BIScosθ
B.M=NBIScosθ
C.M=BISsinθ
D.M=NBISsinθ
A.0.1-0.2mm
B.0.1-0.25mm
C.0.1-0.3mm
D.0.35-0.5mm
最新試題
勻強(qiáng)磁場(chǎng)中各點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度的特點(diǎn)是()
兩個(gè)100Ω的電阻并聯(lián)后串聯(lián)一個(gè)50Ω的電阻,其阻值為()
線性電阻兩端的電壓為U時(shí),電阻為R,當(dāng)電阻兩端的電壓升高到2U時(shí),電阻為()
單相變壓器的額定電壓400V,額定電流,50A額定容量()kVA。
如果要構(gòu)成n位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器,需用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的個(gè)數(shù)最少為()。
容抗與正弦電流的頻率成反比,頻率越高,容抗越小,因此電容器對(duì)高頻電流阻礙作用較小。()
74LS00的芯片是一個(gè)14個(gè)引腳的芯片,在這個(gè)芯片的內(nèi)部含有4個(gè)與非門。()
某電容器充電后兩極電壓為10V,所帶電量為9C,則它不帶電時(shí)的電容為()
下列物理量與單位對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤的是()
三相異步電動(dòng)機(jī)帶負(fù)載正常運(yùn)行,公式中的Φm,指的是定子電流單獨(dú)建立的旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的最大磁通量。()