單項(xiàng)選擇題升壓斬波電路能使輸出電壓高于電源電壓的關(guān)鍵原因是電感L儲(chǔ)能泵升和()

A.VD的單相導(dǎo)電
B.開(kāi)關(guān)V的通斷特性
C.電容C的電壓保持
D.電容C的“通交隔直”性


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2.單項(xiàng)選擇題出現(xiàn)換相重疊角γ的原因是()

A.晶閘管換相
B.有源逆變
C.變壓器漏感
D.諧波

3.單項(xiàng)選擇題可以實(shí)現(xiàn)有源逆變的整流電路是()整流電路。

A.有續(xù)流二極管的
B.單相橋式半控
C.沒(méi)有續(xù)流二極管的全控
D.有續(xù)流二極管的全控

6.單項(xiàng)選擇題關(guān)于有源逆變的條件,表述正確的是要求晶閘管的控制角α()

A.小于90度,使Ud為正值
B.大于90度,使Ud為負(fù)值
C.大于60度,使Ud為正值
D.大于30度,使Ud為正值

7.單項(xiàng)選擇題整流電路是()變換器,AC交流。

A.AC/DC
B.DC/AC
C.AC/AC
D.DC/DC

8.單項(xiàng)選擇題當(dāng)晶閘管隨反向陽(yáng)極電壓時(shí),不論門極加何種極性觸發(fā)電壓,管子都將工作在()

A.導(dǎo)通狀態(tài)
B.關(guān)斷狀態(tài)
C.飽和狀態(tài)
D.不定

9.單項(xiàng)選擇題絕緣門極晶體管的文字符號(hào)是()

A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT

10.單項(xiàng)選擇題按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度,晶閘管屬于()

A.不可控器件
B.半控器件
C.全控器件
D.復(fù)合型器件

最新試題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面

題型:多項(xiàng)選擇題

集成運(yùn)放的反相輸入端,當(dāng)輸入信號(hào)(ui1)由此輸入時(shí),輸出信號(hào)(u0)與輸入ui1同相。

題型:判斷題

下列受時(shí)鐘控制的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。

題型:判斷題

將任意一個(gè)無(wú)效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài),那么也就是說(shuō)明,這個(gè)電路具有自起功能。

題型:判斷題

使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會(huì)下降。

題型:判斷題

電壓比較器的功能是,將一個(gè)模擬量輸入電壓,與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。

題型:多項(xiàng)選擇題