柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

若I/O類指令采用獨(dú)立編址，對系統(tǒng)帶來的影響主要是（）。

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示，正確結(jié)果為（）。

主存儲器通常由以下哪些部分組成？（）

（）又稱字選法，所對應(yīng)的存儲器是字結(jié)構(gòu)的。

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的，在某級觀察者角度看到的機(jī)器被稱為（），只需要通過該級語言來了解和使用。

在計(jì)算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問、低功耗和大容量？（）

刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。

在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中，用機(jī)器指令編寫的程序可以由（）進(jìn)行解釋。