單項選擇題要構成容量為4K*8的RAM，需要（）片容量為256*4的RAM。
A.2
B.4
C.8
D.32
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1.多項選擇題用若干RAM實現(xiàn)位擴展時，其方法是將（）相應地并聯(lián)在一起。
A.地址線
B.數(shù)據(jù)線
C.片選信號線
D.讀/寫線
2.多項選擇題一個容量為1K*8的存儲器有（）個存儲單元。
A.8
B.8K
C.8000
D.8192
3.多項選擇題
若用JK觸發(fā)器來實現(xiàn)特性方程為
，則JK端的方程為（）
A.A
B.B
C.C
D.D
4.單項選擇題若要設計一個脈沖序列為1101001110的序列脈沖發(fā)生器，應選用（）個觸發(fā)器。
A.2
B.3
C.4
D.10
5.單項選擇題某移位寄存器的時鐘脈沖頻率為100KHZ，欲將存放在該寄存器中的數(shù)左移8位，完成該操作需要（）時間。
A.10μS
B.80μS
C.100μS
D.800ms
最新試題
如圖，是151的電路設計，其中輸入端的使用了6個反相器，而實現(xiàn)邏輯功能應該可以省掉三個，為什么這么設計（）。
題型：單項選擇題
要使TTL與非門變成反相器，多余的輸入端不能采用的方法為（）。
題型：單項選擇題
電路結構如圖所示，該電路是（）。
題型：單項選擇題
如圖電路實現(xiàn)的邏輯函數(shù)是（）。
題型：多項選擇題
如圖所示，則F=（）。
題型：多項選擇題
為實現(xiàn)將D觸發(fā)器轉換為T觸發(fā)器，下圖所示電路的虛框內應是（）。
題型：單項選擇題
?下圖邏輯單元實現(xiàn)的功能為（）。
題型：單項選擇題
CC4000系列的CMOS門電路不能直接接（）系列的門電路。
題型：單項選擇題
TTL門電路具有負載能力強、抗干擾能力強和轉換速度高等特點。
題型：判斷題
?數(shù)字設計的層次主要有（）。
題型：多項選擇題