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單項(xiàng)選擇題ASME標(biāo)準(zhǔn)第Ⅴ卷（04版）第10章“附錄Ⅴ氦質(zhì)譜儀試驗(yàn)——示蹤探頭技術(shù)”要求校準(zhǔn)系統(tǒng)靈敏度應(yīng)在試驗(yàn)前和試驗(yàn)后以及試驗(yàn)中間隔不大于（）

A．4h進(jìn)行一次；
B．6h進(jìn)行一次；
C．8h進(jìn)行一次；
D．10h進(jìn)行一次。

1.單項(xiàng)選擇題ASME標(biāo)準(zhǔn)第Ⅴ卷（04版）第10章“附錄Ⅴ氦質(zhì)譜儀試驗(yàn)——示蹤探頭技術(shù)”要求檢驗(yàn)掃描應(yīng)從探測(cè)系統(tǒng)的：（）

A．最下部開(kāi)始；
B．最上部開(kāi)始；
C．中部開(kāi)始；
D．任意部位開(kāi)始。

2.單項(xiàng)選擇題ASME標(biāo)準(zhǔn)第Ⅴ卷（04版）第10章“附錄Ⅳ氦質(zhì)譜儀試驗(yàn)——探測(cè)器探頭技術(shù)”對(duì)“保壓時(shí)間”規(guī)定為檢驗(yàn)以前，試驗(yàn)壓力應(yīng)至少先保持：（）

A．15min；
B．20min；
C．25min；
D．30min。

3.單項(xiàng)選擇題ASME標(biāo)準(zhǔn)第Ⅴ卷（04版）第10章“附錄Ⅲ鹵素二極管探測(cè)儀探頭試驗(yàn)”推薦的示蹤氣體為：（）

A．六氟化硫（SF₆）；
B．二氯甲烷（CHCl₂）；
C．三氯一氟甲烷（CCl₃F）；
D．二氯二氟甲烷（CCl₂F₂）；

4.單項(xiàng)選擇題ASME標(biāo)準(zhǔn)第Ⅴ卷（04版）第10章“附錄Ⅱ氣泡試驗(yàn)——真空罩技術(shù)”對(duì)“泄漏顯示”的描述為材料或焊縫表面上有連續(xù)的氣泡出現(xiàn)，就表示被檢區(qū)域中有：（）

A．表面裂紋泄漏；
B．表面氣孔泄漏；
C．表面夾雜泄漏；
D．穿透針孔泄漏。

5.單項(xiàng)選擇題ASME標(biāo)準(zhǔn)第Ⅴ卷（04版）第10章“附錄Ⅰ氣泡試驗(yàn)——直接加壓技術(shù)”中規(guī)定，試驗(yàn)氣體通常是（）

A．氧氣；
B．氫氣；
C．空氣；
D．氦氣。