A、黑
B、赭
C、灰
D、紫
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A、同相位
B、相差90°
C、相差45°
D、相差120°
A、與正序功率同方向
B、與正序功率反向
C、與負序功率同方向
D、與負荷功率同相
A.一次側(cè)電流保持不變
B.一次側(cè)電流減小
C.一次側(cè)電流隨之相應(yīng)增加
D.二次側(cè)電流不變
A、調(diào)整電壓的作用不明顯
B、即補償了系統(tǒng)的無功容量,又提高了系統(tǒng)的電壓
C、不起無功補償?shù)淖饔?br />
D、調(diào)整電容電流
A、鐵芯接片斷裂
B、鐵芯片局部短路與鐵芯局部熔毀
C、鐵芯之間絕緣損壞
D、絕緣損壞
最新試題
真空斷路器的滅弧過程是在密封的真空容器中完成的,因此不會污染周圍環(huán)境。
直流電壓消失后,在操作時或系統(tǒng)發(fā)生故障時,不影響控制回路的正常動作。
處理二次回路故障時,應(yīng)防止電流回路短路與電壓回路開路或接地。
對于一般缺陷,運行人員應(yīng)加強監(jiān)視,并在交接班時進行交代。
檢查操作把手標(biāo)號應(yīng)齊全,并與實際相符。
控制開關(guān)的手柄有6個位置。
驗收隔離開關(guān)觸頭應(yīng)接觸嚴(yán)密,無變色。
因系統(tǒng)故障,使電源線路對側(cè)跳閘,造成電源中斷時,不會引起站用交流電壓消失。
若儲能電容器采用單相橋式接線,由于提高了充電電壓,電容器的裝設(shè)容量可比三相橋式整流的增加一倍。
由于單個硅元件的工作電壓和電流不能做得很高,在制造低電壓或小電流的硅整流電源時,有時需要把硅元件串聯(lián)和并聯(lián)使用。