單項(xiàng)選擇題PN結(jié)是（）形成的。

A、將P型和N型半導(dǎo)體摻雜
B、在交界面上，多數(shù)載流子分別向?qū)Ψ綌U(kuò)散
C、在交界面上，少數(shù)載流子分別向?qū)Ψ綌U(kuò)散
D、多數(shù)載流子與少數(shù)載流子相互擴(kuò)散


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體中，電子數(shù)目與空穴數(shù)目相比（）。

A、電子數(shù)多于空穴數(shù)
B、電子數(shù)少于空穴數(shù)
C、電子數(shù)等于空穴數(shù)
D、電子數(shù)與空穴數(shù)之比為3：2

2.單項(xiàng)選擇題對(duì)半導(dǎo)體的敘述正確的是（）。

A、半導(dǎo)體即超導(dǎo)體
B、半導(dǎo)體即一半導(dǎo)電一半不導(dǎo)電
C、半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)
D、半導(dǎo)體是經(jīng)過(guò)處理的絕緣體

4.單項(xiàng)選擇題晶體三極管（）無(wú)法用萬(wàn)用表測(cè)試。

A、電流放大倍數(shù)β
B、穿透電流Icbo
C、截止頻率
D、晶體管的管型

5.單項(xiàng)選擇題不屬于晶體三極管極限參數(shù)的是（）。

A、反向擊穿電壓
B、反向飽和電流
C、集電極最大允許電流
D、集電極最大允許耗散功率