電路如圖所示，輸出在兩個(gè)二極管的基礎(chǔ)上再增加一個(gè)二極管，以提高輸出電壓。
（1）利用硅二極管恒壓模型求電路的I_D和V_o＝？
（2）在室溫300K下，利用二極管的小信號(hào)模型求V_o的變化范圍。
（3）在輸出電壓端外接一負(fù)載R_L＝1kΩ，問(wèn)輸出電壓的變化范圍如何？

電路如圖所示，設(shè)V_i＝6sinωbV，試?yán)L出輸出電壓V_o的波形。設(shè)D為硅二極管，使用恒壓降（0.7V）模型和折線模型（V_th＝0.6V，r_D＝40Ω）進(jìn)行分析。

共射電路如圖所示。已知晶體管的β＝50；I_CBO=0，V_B=5.6V，R_B=100kΩ，V_CC=12V，V_BE（on）=0.6V。
（1）如R_C=2kΩ，試求基極電流I_B集電極電流I_C和V_CE的值，并說(shuō)明電路的工作狀態(tài)。
（2）如R_C=5.1kΩ，重復(fù)（1）。
（3）如晶體管工作在放大狀態(tài)，調(diào)節(jié)R_B使集電極電流I_C=2mA，電壓∣V_A∣=120V，r_bb′=50Ω，試畫出晶體管的低頻微變等效電路，并標(biāo)出元件值。

穩(wěn)壓管電路如圖所示。
（1）設(shè)V_i=20（1±10%）V穩(wěn)壓管D_Z的穩(wěn)定電壓V_Z=10V允許最大穩(wěn)定電流I_Zmax=30mA，I_Zmin=5mA，R_Lmin=800Ω，R_Lmax=∞。試選擇限流電阻R的值。
（2）穩(wěn)壓管的參數(shù)如（1）中所示，R＝100Q，R_L=250Ω，試求V_i允許的變化范圍。
（3）穩(wěn)壓管的參數(shù)如（1）中所示，當(dāng)V_Z=10V時(shí)，其工作電流I_Z=20mA，r_Z=12Ω，如V_i=20V不變，試求RL從無(wú)窮大變化到1kΩ時(shí)，輸出電壓變化的值ΔV₀為多少？