A.在試圖駐留到其他小區(qū)時(shí),UE在選擇目標(biāo)鄰區(qū)時(shí)會(huì)排除小區(qū)接入禁止?fàn)顟B(tài)為“bared”的小區(qū),直至Tbarred超時(shí)為止。
B.在試圖駐留到其他小區(qū)時(shí),UE在選擇目標(biāo)鄰區(qū)時(shí)會(huì)排除小區(qū)接入禁止?fàn)顟B(tài)為“bared”的小區(qū),直至Tbarred超時(shí)為止。
C.設(shè)置過(guò)大,會(huì)導(dǎo)致UE無(wú)法及時(shí)重選;
D.如果沒(méi)有選擇到其他小區(qū)時(shí),且小區(qū)接入禁止?fàn)顟B(tài)為“bared”的小區(qū)仍為最佳小區(qū)時(shí),UE將會(huì)在Tbarred超時(shí)后再次檢查小區(qū)接入禁止?fàn)顟B(tài)是否被改變。
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A.該參數(shù)是外環(huán)功率控制算法對(duì)目標(biāo)SIR的做調(diào)整前的初始值;
B.一般要根據(jù)業(yè)務(wù)的不同配置不同的值;
C.設(shè)置過(guò)大會(huì)對(duì)其他UE造成干擾;
D.設(shè)置過(guò)小會(huì)導(dǎo)致初始鏈路質(zhì)量較差。
A.PRACH使用開環(huán)功控。
B.UpPCH使用閉環(huán)功控。
C.外環(huán)功率控制根據(jù)bler測(cè)量值調(diào)整sir目標(biāo)值。
D.對(duì)HS-PDSCH不使用閉環(huán)功率控制,由基帶調(diào)度決定發(fā)射功率。
A.該小區(qū)歸屬于所選擇的PLMN或者等效的PLMN;
B.該小區(qū)未被禁止;
C.該小區(qū)不屬于禁止漫游的位置區(qū)。
D.以上全是。
A.外環(huán)功率控制算法分為周期性算法和事件觸發(fā)算法。
B.外環(huán)功率控制算法能有效地保證用戶的bler逼近blertarget;
C.RNC的外環(huán)功率控制調(diào)整的是下行的sirtarget。
D.外環(huán)功控的目標(biāo)值BLERTarget可以在后臺(tái)配置。
A.負(fù)荷控制優(yōu)先級(jí)不僅與業(yè)務(wù)類型相關(guān),還和業(yè)務(wù)速率相關(guān)。
B.時(shí)隙負(fù)荷均衡門限>時(shí)隙過(guò)載恢復(fù)門限。
C.時(shí)隙過(guò)載門限>時(shí)隙接納控制門限。
D.負(fù)荷控制是周期性觸發(fā)的。
最新試題
UMTS系統(tǒng)由CN、UTRAN和UE三部分構(gòu)成,其中UE和UTRAN的接口為:Uu接口,UTRAN內(nèi)NodeB和RNC的接口為Iub接口,RNC與CN的接口為Iu接口,RNC之間的接口為()接口。
指出符合描述的計(jì)時(shí)器,在手機(jī)側(cè)當(dāng)收到最后一個(gè)RLC層的數(shù)據(jù)幀時(shí)啟動(dòng)并等待當(dāng)前TBF釋放().
R4中TD-SCDMA使用的調(diào)制方式有()。
由于小區(qū)空閑模式覆蓋區(qū)與激活模式覆蓋區(qū)不相等將會(huì)出現(xiàn)下列哪些現(xiàn)象?()
HSDPA的中文翻譯是()。
終端是以()來(lái)識(shí)別不同的TD-SCDMA小區(qū)的.
MSI結(jié)合(IMSIattach)和普通位置更新的區(qū)別在于().
UE在上行CCCH上發(fā)送一個(gè)RRCConnectionRequest消息,請(qǐng)求建立一條RRC連接。主要參數(shù)為()
TD-SCDMANodeB的最簡(jiǎn)配置中,下面哪些單板是不需要的()。
TD和WCDMA中,功率控制分為開環(huán)功控和閉環(huán)功控,其中閉環(huán)功控又分為內(nèi)環(huán)功控、()。