單項選擇題單晶硅組件效率不低于（）。
A.0.15
B.0.1
C.0.14
D.0.06
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1.單項選擇題金太陽和太陽能光電建筑應用示范項目中，非晶硅薄膜組件最高限價（）元/峰瓦。
A.4
B.8
C.9
D.6
2.單項選擇題根據(jù)《金太陽示范工程基本要求（2009年）》，金太陽和太陽能光電建筑應用示范項目中，晶體硅組件最高限價（）元/峰瓦。
A.4
B.8
C.14
D.6
3.單項選擇題金太陽和太陽能光電建筑應用示范項目中，電網(wǎng)企業(yè)在收到項目并網(wǎng)意向函和全部項目信息后，應在（）個工作日內予以答復。
A.13
B.15
C.20
D.10
4.單項選擇題根據(jù)《國家能源局關于加強金太陽示范項目并網(wǎng)管理的通知》（國能新能（2011）37號），金太陽示范項目中的用戶側光伏發(fā)電項目，按（）的方式由項目單位自建自用，或由項目單位與用戶單位以合同能源服務方式建設和管理。
A.自發(fā)自用
B.并網(wǎng)統(tǒng)籌
C.隨意并網(wǎng)
D.不予并網(wǎng)
5.單項選擇題CIGS薄膜組件全光照面積的光電轉換效率（含組件邊框面積）應（）。
A.≥10%
B.≥13%
C.≥15.5%
D.≥17%