單項(xiàng)選擇題由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加,近場區(qū)長度迅速增加,()。

A.對(duì)探傷有利
B.對(duì)探傷不利
C.半擴(kuò)散角增大
D.超聲波能量發(fā)散


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