單項(xiàng)選擇題內(nèi)環(huán)功率控制屬于以下哪種功率控制方式的一種?()

A、開環(huán)功率控制。
B、閉環(huán)功率控制。
C、外環(huán)功率控制。


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2.單項(xiàng)選擇題對(duì)于TD-SCDMA系統(tǒng),除了下行導(dǎo)頻和上行接入時(shí)隙外,其他所有用于信息傳輸?shù)臅r(shí)隙都具有相同的結(jié)構(gòu)():

A、一個(gè)數(shù)據(jù)部分、一個(gè)訓(xùn)練序列碼
B、兩個(gè)數(shù)據(jù)部分、一個(gè)訓(xùn)練序列碼和一個(gè)保護(hù)時(shí)間片
C、兩個(gè)數(shù)據(jù)部分、一個(gè)訓(xùn)練序列碼
D、一個(gè)數(shù)據(jù)部分、一個(gè)訓(xùn)練序列碼和一個(gè)保護(hù)時(shí)間片

最新試題

終端是以()來識(shí)別不同的TD-SCDMA小區(qū)的.

題型:單項(xiàng)選擇題

TD-SCDMA系統(tǒng)中,同頻測(cè)量上報(bào)的事件為(),異頻測(cè)量上報(bào)的事件為:2A,異系統(tǒng)測(cè)量上報(bào)的事件為:3A。

題型:填空題

TD-SCDMAR4系統(tǒng)采用的是()的調(diào)制方式,HSDPA在信道條件良好的情況下,使用16QAM的調(diào)制方式,此時(shí),每個(gè)chip可以攜帶4bit信息。

題型:填空題

TD-SCDMANodeB的最簡配置中,下面哪些單板是不需要的()。

題型:單項(xiàng)選擇題

D采用N頻點(diǎn)組網(wǎng)方案,N頻點(diǎn)的小區(qū)()個(gè)下行同步碼。

題型:單項(xiàng)選擇題

UMTS系統(tǒng)的的測(cè)量控制消息在UE處于哪種狀態(tài)下才能發(fā)起().

題型:單項(xiàng)選擇題

UMTS系統(tǒng)中,Uu接口的高層信令為()。

題型:填空題

UMTS系統(tǒng)由CN、UTRAN和UE三部分構(gòu)成,其中UE和UTRAN的接口為:Uu接口,UTRAN內(nèi)NodeB和RNC的接口為Iub接口,RNC與CN的接口為Iu接口,RNC之間的接口為()接口。

題型:填空題

主叫信令流程主要包括以下幾個(gè)階段,請(qǐng)按照其發(fā)生的先后順序進(jìn)行排序。()①建立RAB連接②鑒權(quán)③建立RRC連接④通過直傳消息建立到CN的信令⑤釋放

題型:單項(xiàng)選擇題

由MTC過程的()消息,可知主叫號(hào)碼。

題型:填空題