A.lo是入射線(xiàn)強(qiáng)度,L是透射射線(xiàn)強(qiáng)度
B.lo是入射光強(qiáng)度,L是透射光強(qiáng)度
C.lo是透射射線(xiàn)強(qiáng)度,L是入射線(xiàn)強(qiáng)度
D.lo是透射光強(qiáng)度,L是入射光強(qiáng)度
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A.對(duì)比度
B.清晰度
C.感光度
D.以上都不是
A.中子射線(xiàn)照相
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C.康普頓背散射成像技術(shù)
D.A、B和C
A.金屬表面的腐蝕裂紋
B.原子序數(shù)低、厚度小物體的層析射線(xiàn)照相
C.厚度很大物體的表面層內(nèi)部缺陷
D.A、B和C
A.距離
B.連線(xiàn)
C.直線(xiàn)斜率
D.以上都不是
A.不大于曝光曲線(xiàn)推薦的最小值
B.不小于曝光曲線(xiàn)推薦的最小值
C.不小于曝光曲線(xiàn)推薦的最大值
D.以上都不是
最新試題
對(duì)漏磁檢測(cè)原理描述正確的有()。
工藝評(píng)定試件焊后應(yīng)進(jìn)行()。
鑄件熒光滲透檢測(cè)時(shí),()。
對(duì)滲透探傷無(wú)影響的是()。
滲透檢測(cè)工藝對(duì)顯像操作的要求有()。
Z 超聲波檢測(cè)鑄件時(shí)可作為缺陷記錄的是()。
潤(rùn)濕是受檢表面附著的氣體被滲透液體所取代的現(xiàn)象,發(fā)生潤(rùn)濕時(shí)()。
探頭主聲束()將會(huì)影響對(duì)缺陷的定位和判別。
單晶體金屬特點(diǎn)有()。
阻止?jié)B透液滲入及滲出表面開(kāi)口缺陷的固體污染物有()。