判斷題在設計E-R圖時,由于各個子系統(tǒng)分別有不同的應用,而且往往是由于不同的設計人員設計的,所以各個分E-R圖之間難免有不一致的地方,這些沖突主要有屬性沖突、命名沖突和結構沖突。

您可能感興趣的試卷

最新試題

?關于基于散列的兩趟算法和基于排序的兩趟算法的基本思想,下列說法正確的是()。

題型:單項選擇題

?已知內存共有8塊,若要排序有70塊的數(shù)據(jù)集,應如何組織,才能使磁盤讀寫次數(shù)最少。下列方案中磁盤讀寫次數(shù)最少的方案是()。

題型:單項選擇題

關于基于散列的兩趟算法,下列說法正確的是()。

題型:單項選擇題

?已知關系R的參數(shù)如下:聚簇存儲磁盤塊數(shù)B(R)=1,000,元組數(shù)T(R)=20,000,R中屬性A的不同值的個數(shù)被記為V(R,A)=100。R上有基于屬性A的排序索引。關于σA=0(R),下列說法正確的是()。

題型:單項選擇題

關于連接運算R (JOIN on R.A=S.B)S的基于散列的兩趟算法,下列說法正確的是()。

題型:單項選擇題

假設關系R的元組個數(shù)為T(R),元組的大小為I(R),存儲塊的大小為b,B(R)=T(R)*I(R)/b。關于表空間掃描算法,下列說法正確的是()。

題型:單項選擇題

已知關系R。T(R)=100,000,V(R,A)=200,V(R,B)=1000,若要對進行代價估計,則下列正確進行代價估計的是()。

題型:單項選擇題

?在三級模式兩層映像結構中,“局部模式”是指()。

題型:單項選擇題

關于R與S的并、交、差運算的基于散列的兩趟算法,其中第一趟都是劃分子表,都要求子表的存儲塊數(shù)要小于可用內存塊數(shù),以便子表可以一次性裝入內存進行處理。關于劃分子表,下列說法正確的是()。

題型:單項選擇題

?關于基于排序的兩趟算法,下列說法不正確的是()。

題型:單項選擇題