A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時(shí),反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻(xiàn)。
B.在一定溫度下,與Si材料相比,GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度,所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高,越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導(dǎo)體中的載流子壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度、導(dǎo)帶價(jià)帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當(dāng)值可以得到較大的VOC。
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A.19.2℅
B.17.6℅
C.15.6℅
D.20.3℅
A.15μs
B.225μs
C.1.5μs
D.20μs
A.5.673m
B.4.259m
C.1.414m
D.3.011m
A.光源輻照度為1000W/m
B.測(cè)試溫度為25℃
C.AM1.0地面太陽(yáng)光譜輻照度分布
D.AM1.5地面太陽(yáng)光譜輻照度分布
A、11h
B、12h
C、11.95h
D、無(wú)法確定
最新試題
()的導(dǎo)帶和價(jià)帶重疊在一起,不存在禁帶,在一切條件下具有良好的導(dǎo)電性。
光伏控制器的功能不包括()
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