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填空題為了嚴(yán)密地分析a-Si太陽(yáng)能電池的工作解析的話，必須要對(duì)（）三個(gè)量的非線性結(jié)合的電子及空穴輸送方程式同時(shí)進(jìn)行求解。

1.填空題Carlson等人利用二極管沒(méi)有的本征層顯示出的（），用白金的短鍵位勢(shì)壘在i層中形成擴(kuò)散電位，確認(rèn)了光電效應(yīng)。

2.填空題一般的太陽(yáng)能電池級(jí)試驗(yàn)材料，在初級(jí)階段，（110）有優(yōu)先配位性，結(jié)晶尺寸為（）左右，（）、正空穴漂移移動(dòng)度約為5cm/s.v左右。

3.填空題微晶硅的定義并不是那么固定的，在（）附近的低溫及非熱平衡過(guò)程中生長(zhǎng)，尺寸為由500nm以下的結(jié)晶粒群構(gòu)成的結(jié)晶，一般可以作為非晶不均質(zhì)混合材料。

4.填空題作為太陽(yáng)能電池材料的評(píng)價(jià)最有效的方法，叫（），有可能測(cè)定太陽(yáng)能電池在環(huán)境中的兩極性擴(kuò)散長(zhǎng)度。

5.填空題從結(jié)晶的角度來(lái)講，在不介入聲波的（）中，動(dòng)量也就是波向k的守恒是必要條件。

6.填空題a-Si：H作為四面體結(jié)合的非晶體，是由（）束縛結(jié)構(gòu)構(gòu)成的，為了緩和堅(jiān)固的電路內(nèi)部應(yīng)力，易引發(fā)不可見(jiàn)光能帶等的結(jié)構(gòu)缺陷。

7.填空題非晶半導(dǎo)體材料，是失去了像結(jié)晶型那長(zhǎng)距離晶格結(jié)構(gòu)后的材料，其原子周圍的化學(xué)鍵狀態(tài)與結(jié)晶時(shí)保持（）的狀態(tài)。

8.填空題為了保持優(yōu)良的結(jié)晶性能，提高制膜速度，除了要采用（）；（）投入外，多數(shù)也采用導(dǎo)入電源頻率為60MHz---100MHz的VHF帶等離子體的CVD法。

9.填空題在a-Si：H太陽(yáng)能電池中，此低光吸收和（），可以作為電極或者窗口一側(cè)的結(jié)合層來(lái)利用。

10.填空題產(chǎn)生等離子體的電力條件是（），無(wú)線電頻率可從射頻到VHF、微波范圍內(nèi)多種多樣的頻率，但目前射頻等離子體CVD最普及。