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填空題在InP中也電子線照射缺陷一致的方向，注入（）以促進（）的所謂DLTS的方法得到的結果。

1.填空題由于大多數(shù)化合物半導體的能帶結構都是（），因此不像間接躍遷的Si那樣容易產(chǎn)生太陽能電池特性的放射線（）現(xiàn)象。

2.填空題InP電池片的轉(zhuǎn)換效率是（）。

3.填空題被氧化了的色素從氧化還原介質(zhì)中得到（），又重新回到準能級的色素成為氧化態(tài)，向?qū)﹄姌O進行擴散，從（）電極接受電子回到還原狀態(tài)，這就是電子的一個循環(huán)。

4.填空題用Tio2光電極，幾乎不能吸收（），但在Tio2表面通過固定Ru增感色素，就可以（）地吸收可見光，從而實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。

5.填空題光電極是將鍍有（）的氧化泡沫作為導電性膜敷在（），然后將膠狀的Tio2涂在上面，在450℃進行焙燒，得到由10~30nm的TiO2納米粒子的沉積所構成的多孔物質(zhì)膜所形成的。