單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中在燒結普通磚制樣時，應將切斷的磚樣放入室內(nèi)的凈水中浸（）后，以斷口（）方向疊加制備。

A、10min～20min相反
B、10min～20min相同
C、10min相反
D、20min相同


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3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗壓強度試驗的材料試驗機預期最大破壞荷載應在量程的（）之間。

A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%

4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度精確至（），抗壓強度精確至（）。

A、0.1MPa，0.01MPa
B、0.01MPa，0.1MPa
C、0.01MPa，0.01MPa
D、0.1MPa，0.1MPa

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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

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用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。

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在通常情況下，GaN呈（）型結構。

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對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

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如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

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光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

題型：單項選擇題