單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中燒結(jié)普通磚用模具制樣法制成的試件連同模具在不低于（）的不通風(fēng)室內(nèi)養(yǎng)護(hù)（）后脫模，再在相同條件下養(yǎng)護(hù)（），進(jìn)行試驗(yàn)。

A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h


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7.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度精確至（），抗壓強(qiáng)度精確至（）。

A、0.1MPa，0.01MPa
B、0.01MPa，0.1MPa
C、0.01MPa，0.01MPa
D、0.1MPa，0.1MPa

最新試題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）

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只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題