A、10℃~20℃
B、10℃~30℃
C、20℃~30℃
D、0℃~30℃
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A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚
D、整磚.整磚.1/4磚
A、-15℃~-20℃10℃~20℃
B、-10℃~-20℃15℃~20℃
C、-15℃~-20℃15℃~20℃
D、-10℃~-20℃10℃~20℃
A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
A、10min~20min相反
B、10min~20min相同
C、10min相反
D、20min相同
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
可用作硅片的研磨材料是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。