A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
A、1~3kN/s
B、10~30kN/s
C、1~30kN/s
D、3~10kN/s
A、1~3mm
B、1~5mm
C、3~5mm
D、5~8mm
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
A、(20±3)℃.(60±20)%
B、(20±3).℃90%以上
C、(20±1)℃.(60±20)%
D、(20±1)℃.90%以上
A、1
B、2
C、3
D、4
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
A、10℃~20℃
B、10℃~30℃
C、20℃~30℃
D、0℃~30℃
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚
D、整磚.整磚.1/4磚
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
PN結(jié)的基本特性是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();