A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
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A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg
A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
A、1~3kN/s
B、10~30kN/s
C、1~30kN/s
D、3~10kN/s
A、1~3mm
B、1~5mm
C、3~5mm
D、5~8mm
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
A、(20±3)℃.(60±20)%
B、(20±3).℃90%以上
C、(20±1)℃.(60±20)%
D、(20±1)℃.90%以上
A、1
B、2
C、3
D、4
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
A、10℃~20℃
B、10℃~30℃
C、20℃~30℃
D、0℃~30℃
最新試題
下列是晶體的是()。
改良西門子法的顯著特點不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
可用作硅片的研磨材料是()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法