A、五個碳化后試件的平均抗壓強度/五個對比試件的平均抗壓強度.0.01
B、五個碳化后試件的平均抗壓強度/五個對比試件的平均抗壓強度.0.1
C、五個對比試件的平均抗壓強度/五個碳化后試件的平均抗壓強度.0.01
D、五個對比試件的平均抗壓強度/五個碳化后試件的平均抗壓強度.0.1
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A、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.01
B、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.1
C、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.01
D、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg
A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
A、1~3kN/s
B、10~30kN/s
C、1~30kN/s
D、3~10kN/s
A、1~3mm
B、1~5mm
C、3~5mm
D、5~8mm
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
PN結(jié)的基本特性是()