單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定進(jìn)行蒸壓加氣混凝土干密度和含水率試驗時需烘至恒質(zhì)（M0），恒質(zhì)是指在烘干過程中間隔4h，前后兩次質(zhì)量差不超過試件質(zhì)量的（）。

A、1%
B、2%
C、0.5%
D、1.5%


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4.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中進(jìn)行干密度、含水率和吸水率等試驗時試件尺寸為（）的正立方體。

A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm

5.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)適用于（）

A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚

7.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)中碳化系數(shù)試驗中碳化系數(shù)是指（），其值精確至（）。

A、五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1

8.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)中干軟化系數(shù)試驗中軟化系數(shù)是指（），其值精確至（）。

A、五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1

最新試題

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

題型：單項選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

題型：單項選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

題型：單項選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：單項選擇題

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

題型：單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項選擇題

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

題型：單項選擇題

改良西門子法的顯著特點不包括（）

題型：單項選擇題

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型：單項選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：單項選擇題