問答題現(xiàn)有（1024B×4）RAM集成芯片一個，該RAM有多少個存儲單元？有多少條地址線？該RAM含有多少個字？其字長是多少位？訪問該RAM時，每次會選中幾個存儲單元？
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1.單項選擇題在讀寫的同時還需要不斷進行數(shù)據(jù)刷新的是（）存儲單元。
A、動態(tài)
B、靜態(tài)
2.單項選擇題利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器存儲信息的RAM叫（）RAM。
A、動態(tài)
B、靜態(tài)
3.單項選擇題動態(tài)存儲單元是靠（）的功能來保存和記憶信息的。
A、自保持
B、柵極存儲電荷
4.單項選擇題一片容量為1024字節(jié)×4位的存儲器，表示有（）個存儲單元。
A、1024
B、4
C、4096
D、8
5.單項選擇題利用電容的充電來存儲數(shù)據(jù)，由于電路本身總有漏電，因此需定期不斷補充充電（刷新）才能保持其存儲的數(shù)據(jù)的是（）
A、靜態(tài)RAM的存儲單元
B、動態(tài)RAM的存儲單元
最新試題
關(guān)于電壓源和電流源，下列描述錯誤的一項是（）。
題型：單項選擇題
下列關(guān)于電感儲能的描述中錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
?與單門限比較器相比，以下對遲滯比較器的描述不合理的是（）。
題型：單項選擇題
一階動態(tài)電路中，下列關(guān)于換路定則表述最合理的一項是（）。
題型：單項選擇題
放大電路中，判斷三極管工作組態(tài)的依據(jù)是（）。
題型：單項選擇題
為了提高感性負載正弦穩(wěn)態(tài)交流電路中總電路的功率因數(shù)，可以采取的措施為（）。
題型：單項選擇題
關(guān)于節(jié)點分析法，下列描述錯誤的一項是（）。
題型：單項選擇題
下列電路變量中，描述錯誤的一項是（）。
題型：單項選擇題
?下列對集成運放失調(diào)參數(shù)描述合理的是（）。
題型：多項選擇題
如圖所示電路中，二極管都是理想的，則電壓Uab=（）V。
題型：單項選擇題