單項選擇題原位軸壓法開鑿水平槽孔時普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為（）皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
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1.單項選擇題原位軸壓法所用的600型原位壓力機額定行程是（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
2.單項選擇題原位壓力機的力值應(yīng)每（）校驗一次。
A.3個月
B.5個月
C.6個月
D.1年
3.單項選擇題原位軸壓法測試部位在同一墻體上，測點多于一個時，其水平凈距不得少于（）。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
4.單項選擇題原位軸壓法測試部位宜選在墻體中部距樓、地面（）左右的高度處，槽間砌體每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
5.單項選擇題各類磚的取樣檢測，每一檢測單元不應(yīng)少于（）；應(yīng)按相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，進行磚的抗壓強度試驗和強度等級評定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
最新試題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題