A.ωL2C2=1
B.ω2LC=1
C.ωLC=1
D.ω=LC
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A.平均功率
B.實(shí)際功率
C.視在功率
D.瞬時(shí)功率
A.線電壓超前于線電流
B.電壓超前于電流
C.相電壓超前于相電流
D.相電流超前于相電壓
A.P=UIsinφ
B.P=UI
C.P=UIcosφ
D.P=UIcosφ
A.圖形
B.復(fù)數(shù)
C.對(duì)數(shù)
D.算術(shù)
A.u1和u2
B.u3和u4
C.u1和u4
D.u1、u2和u3
最新試題
對(duì)于一般缺陷,運(yùn)行人員應(yīng)加強(qiáng)監(jiān)視,并在交接班時(shí)進(jìn)行交代。
若儲(chǔ)能電容器采用單相橋式接線,由于提高了充電電壓,電容器的裝設(shè)容量可比三相橋式整流的增加一倍。
保護(hù)屏常投入的連接片的絕緣部位應(yīng)涂藍(lán)色漆。
由于單個(gè)硅元件的工作電壓和電流不能做得很高,在制造低電壓或小電流的硅整流電源時(shí),有時(shí)需要把硅元件串聯(lián)和并聯(lián)使用。
變電站直流系統(tǒng)的工作電壓通常為220V或110V。
正常情況下,硅整流器交流電源應(yīng)由電源側(cè)斷路器供電,自行投入。
采用硅整流裝置作操作電源,缺點(diǎn)是不能獨(dú)立使用,需加裝補(bǔ)償電容、自投裝置、逆止閥等附件。
拉開(kāi)操作直流熔斷器的順序是先負(fù)極后正極,安裝的順序與此相反,這樣做是為了防止產(chǎn)生寄生同路而引起誤動(dòng)跳閘。
直流回路熔斷器質(zhì)量不合格,接觸不良,可導(dǎo)致直流電壓消失。
根據(jù)需要可在適當(dāng)?shù)攸c(diǎn)將電流互感器二次側(cè)開(kāi)路。