在如圖所示電路中，D₁～D₄為硅二極管，T₁～T₄為硅三極管，其中T₃和T₄的P_CM＝1W，|V_CES|＝2V，I_CM＝1.5A，V_（BR）CEO＞30V。A為理想運算放大器。
（1）由上述幾種參數(shù)，估算可能達到的最大不失真輸出功率P_omax；
（2）計算為獲得所需的P_omax，輸入正弦電壓的有效值應為多大？
（3）說明T₂管的作用。若T₃，T₄管的β＝100，指出應如何選擇電阻R₄以滿足P_omax的要求。

判斷如圖所示電路中各深度負反饋放大器的反饋類型，估算電壓增益A_uf。

恒流源式的差分放大電路如圖所示。各晶體管的參數(shù)均相同，且β＝60，r_bb’＝300Ω，U_BE＝0.7V，電源電壓V_CC＝12V，V_EE＝6V，電阻R_c＝R_L＝10kΩ，R_b1＝R_b2＝R_b＝2KΩ，R₁＝1KΩ，R₂＝R₃＝4.3KΩ，R_w＝200Ω，且其滑動端位于中點。試估算：
（1）靜態(tài)時各管的I_C和VT₁、VT₂管的U_c；
（2）差模電壓放大倍數(shù)A_ud1=u_o1/u_id；
（3）差模輸入電阻R_id和輸出電阻R_od；
（4）共模電壓放大倍數(shù)A_uc1=u_o1/u_ic和共模抑制比K_CMR。

電路如圖所示，各晶體管的低頻跨導為g_m，VT₁和VT₂管D-S間的動態(tài)電阻分別為r_ds1和r_ds2。試求解電壓放大倍數(shù)A_U＝△u_O／△u_I的表達式。

如圖所示電路，β＝50，V_CC＝12V，R_B＝300kΩ，R_C＝4kΩ，R_S＝500Ω，C_B1＝C_B2＝50μF。
（1）估算Q點；
（2）畫出h參數(shù)的等效電路圖；
（3）如果輸出端接在R_L＝4kΩ的負載上，計算。