單項選擇題二極管的動態(tài)電阻rd為（）
A.nVT/Is
B.VD/ID
C.VT/1mA
D.nVT/ID
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1.單項選擇題
如圖所示，實驗電路伏特計所測量電壓為3V，則R值應(yīng)接近多少？（）（注：伏特計內(nèi)阻為20kΩ；D為硅二極管）
A.1Ω
B.2Ω
C.8Ω
D.4Ω
E.6Ω
2.單項選擇題下列何種二極管的空乏區(qū)最窄？（）
A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管
3.單項選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）
A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非
4.單項選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）
A.斷路時
B.短路時
C.順向偏壓時
D.逆向偏壓時
5.單項選擇題一般硅質(zhì)二極管導(dǎo)通時，兩端的電位差為？（）
A.1.2V
B.0.9V
C.0.6V
D.0.2V
最新試題
下列哪種類型的正弦波振蕩器輸出功率大且頻率較高？（）
題型：單項選擇題
數(shù)字電路在通信系統(tǒng)中的主要應(yīng)用不包括以下哪一項？（）
題型：單項選擇題
74LS163是什么類型的計數(shù)器？（）
題型：單項選擇題
555時基電路在雙穩(wěn)態(tài)模式下，其輸出電平如何變化？（）
題型：單項選擇題
JK觸發(fā)器與SR觸發(fā)器的主要區(qū)別是什么？（）
題型：單項選擇題
下列關(guān)于與門電路（AND Gate）的描述中，哪一項是正確的？（）
題型：單項選擇題
74LS163的計數(shù)功能是如何實現(xiàn)的？（）
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
555時基電路在哪種模式下可以作為方波發(fā)生器？（）
題型：單項選擇題
JK觸發(fā)器與RS觸發(fā)器相比，最大的特點是什么？（）
題型：單項選擇題