圖正弦穩(wěn)態(tài)電路，已知u（t）=10cos（t+15°）V，i（t）=2sin（t+45°）A則電路N吸收的平均功率P等于（）。

根據(jù)一階RC低通濾波器的相頻特性公式，隨著頻率從低到高，相位差的正確變化規(guī)律是（）。

OP07集成運(yùn)放的封裝如圖所示，請問哪種引腳排列是正確的？（）

測試MOSFET放大電路放大倍數(shù)時(shí)，通常不能采用以下哪種做法？（）

關(guān)于毫伏表，下列說法正確的是（）。

如圖是MOSFET電路測試時(shí)晶體管毫伏表的截圖，以下更準(zhǔn)確的是（）。

用示波器測試相位差，如下方法哪個(gè)測得的結(jié)果誤差較??？（）

某個(gè)正弦交流信號的有效值是0.8V，毫伏表應(yīng)選擇哪一檔進(jìn)行測量？（）

測試低通濾波器的幅頻特性曲線時(shí)，此處假設(shè)截止頻率是大于500Hz的，如下哪種說法不正確？（）

一個(gè)1V直流電壓源對一階零狀態(tài)RC電路充電一個(gè)τ后，再放電一個(gè)τ，此時(shí)電容電壓為（）。