A.陰極產(chǎn)生的電子能量不同
B.固有濾過材料不同
C.靶物質(zhì)的材料不同
D.由于光電效應(yīng)所致
E.由于康普頓效應(yīng)所致
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A.X線波長僅與管電壓有關(guān)
B.內(nèi)層軌道電子躍遷產(chǎn)生X線為特征放射
C.X射線譜是連續(xù)能量譜
D.電壓升高特征放射能量增加
E.管電壓升高特征射線的百分比減少
A、連續(xù)X射線的最大能量是80keV
B、特征X射線的最大能量是80keV
C、產(chǎn)生的X射線絕大部分是特征X射線
D、僅有1%的電子能量以熱量的形式沉積在鎢靶中
E、以上都是
A.管電壓越高,產(chǎn)生的X射線最短波長越短
B.X射線的最短波長對應(yīng)于最大光子能量
C.管電壓越高,X射線的產(chǎn)生效率越大
D.陽極靶物質(zhì)的原子序數(shù)越大,X射線的產(chǎn)生效率越大
E.管電流越高,X射線的產(chǎn)生效率越大
A.K層
B.L層
C.M層
D.N層
E.O層
A.管電壓
B.管電流
C.照射時(shí)間
D.電子電量
E.光子數(shù)量
A.鐵
B.鎢
C.金
D.銅
E.鉬
A.電子源
B.強(qiáng)電場
C.真空
D.陽極靶面
E.高壓發(fā)生器
A.電子源
B.高速電子流
C.陽極靶面
D.以上都是
E.以上都不是
A.1895年11月8日
B.1895年12月8日
C.1896年11月8日
D.1898年8月11日
E.1901年11月8日
A.德國
B.英國
C.美國
D.法國
E.中國
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