直接數(shù)字化X射線攝影，硒物質(zhì)直接轉(zhuǎn)換技術(shù)X射線的吸收率高于間接轉(zhuǎn)換技術(shù)（）

多絲正比電離室探測器是（）

KonicaCR系統(tǒng)照射量1mR時對應(yīng)的S值為200，2mR對應(yīng)的S值是（）

透過被照體的X線照射到平板探測器的非晶硒層時，由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對，即一對正負(fù)電子。該電子-空穴對在外加偏置電壓形成的電場作用下被分離并反向運動，負(fù)電子跑向偏壓的正極，正電子跑向偏壓的負(fù)極，于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比，這些電流信號被存儲在TFT的極間電容上。每個TFT形成一個采集圖像的最小單元，即像素。每個像素區(qū)內(nèi)有一個場效應(yīng)管，在讀出該像素單元電信號時起開關(guān)作用。在讀出控制信號的控制下，開關(guān)導(dǎo)通，把存儲于電容內(nèi)的像素信號逐一按順序讀出、放大，送到A/D轉(zhuǎn)換器，從而將對應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號。關(guān)于該平板探測器的敘述錯誤的是（）

CR攝影和常規(guī)X線攝影不同之處在于（）

數(shù)字化X射線成像系統(tǒng)的量子檢測率可達(dá)（）

關(guān)于平板探測器的敘述，錯誤的是（）

間接DR中，位于FPD頂層的是（）

關(guān)于CR的敘述，哪項不正確（）

場效應(yīng)管的作用是（）