A.BaFBr：Eu2+
B.Na2S2O3·5H2O
C.Na2CO3
D.CH3COOH
E.a-Se
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A.數(shù)字X線攝影
B.直接X(jué)線攝影
C.計(jì)算機(jī)X線攝影
D.計(jì)算機(jī)斷層成像
E.數(shù)字?jǐn)鄬映上?/p>
CR系統(tǒng)用成像板（IP）來(lái)接收X線的模擬信息，然后經(jīng)過(guò)模／數(shù)轉(zhuǎn)換來(lái)實(shí)現(xiàn)影像的數(shù)字化。對(duì)IP的曝光過(guò)程就是信息采集。
關(guān)于IP的敘述錯(cuò)誤的是（）
A.IP作為輻射接收部件替代了常規(guī)X線攝影用的膠片
B.IP在X線下受到第一次激發(fā)時(shí)儲(chǔ)存連續(xù)的模擬信息
C.IP被掃描后所獲得的信息可以同時(shí)進(jìn)行存儲(chǔ)和打印
D.曝光后的成像板，由于吸收X線而發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)
E.IP的影像數(shù)據(jù)可通過(guò)施加強(qiáng)光照射來(lái)消除
A.IP具有與膠片相同的結(jié)構(gòu)
B.IP成為影像記錄的載體
C.光激勵(lì)熒光體的晶體結(jié)構(gòu)"陷阱"中存儲(chǔ)吸收的X線能量
D.IP以俘獲電子的形式存儲(chǔ)的能量形成潛影
E.隨著時(shí)間的推移，俘獲的信號(hào)會(huì)呈指數(shù)規(guī)律逐漸消退
透過(guò)被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí)，由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì)，即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng)，負(fù)電子跑向偏壓的正極，正電子跑向偏壓的負(fù)極，于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比，這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元，即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開(kāi)關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大，送到A/D轉(zhuǎn)換器，從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。
場(chǎng)效應(yīng)管的作用是（）
A.產(chǎn)生電荷
B.存儲(chǔ)電荷
C.開(kāi)關(guān)
D.A/D轉(zhuǎn)換
E.放大
最新試題
直接FPD可以由（）直接獲得像素位置信息
CR圖像處理不包括（）
間接DR中，位于FPD頂層的是（）
CR攝影和常規(guī)X線攝影不同之處在于（）
應(yīng)用非晶硒和薄膜晶體管陣列技術(shù)制成的探測(cè)器是（）
光激勵(lì)熒光體中，為改變熒光體的結(jié)構(gòu)和物理特性常摻入（）
直接數(shù)字化X射線攝影，硒物質(zhì)直接轉(zhuǎn)換技術(shù)X射線的吸收率高于間接轉(zhuǎn)換技術(shù)（）
直接平板探測(cè)器的線性度范圍是（）
多絲正比電離室探測(cè)器是（）
DR相比于CR（）