A.CCD相機(jī)
B.非晶硅
C.非晶硒
D.光電二極管
E.閃爍體
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A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR
A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP
A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵(lì)熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線
A.1:102
B.1:103
C.1:104
D.1:105
E.1:106
A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識(shí)別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器
A.100~200nm
B.390~490nm
C.290~390nm
D.200~300nm
E.190~290nm
A.使用高能射線照射
B.使用電流消除殘存電荷
C.使用顯影液、定影液重寫(xiě)
D.使用清水沖洗
E.使用強(qiáng)光照射消除數(shù)據(jù)
A.IP
B.FPD
C.光電倍增管
D.攝像機(jī)
E.非晶硒
A.電子數(shù)據(jù)
B.圖像
C.聲音
D.視頻信號(hào)
E.醫(yī)學(xué)圖像及其信息
最新試題
直接FPD可以由()直接獲得像素位置信息
關(guān)于CR的信息采集敘述錯(cuò)誤的是()
FPD能夠成為平板形狀,主要是探測(cè)器的單元陣列采用的是()
DR使用的檢測(cè)裝置是()
IP曝光后,應(yīng)在多長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)進(jìn)行信號(hào)讀?。ǎ?/p>
光激勵(lì)熒光體中,為改變熒光體的結(jié)構(gòu)和物理特性,常摻入的是()
CR的中文全稱為()
含5個(gè)結(jié)晶水的硫代硫酸鈉是()
顯影液使用的是()
間接DR中,位于FPD頂層的是()