A.圖像存儲(chǔ)
B.成像能源
C.轉(zhuǎn)換介質(zhì)
D.成像方式
E.傳輸方式
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A.有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型
B.其極限分辨率比屏/片系統(tǒng)低
C.其MTF比屏/片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏/片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高
A.IP由基層、熒光體層和保護(hù)層構(gòu)成
B.IP由基層、晶體層構(gòu)成
C.IP用于檢測(cè)圖像數(shù)據(jù)
D.IP用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)
E.IP用于傳輸圖像數(shù)據(jù)
A.400
B.200
C.100
D.50
E.10
A.直接探測(cè)器
B.間接探測(cè)器
C.模擬探測(cè)器
D.平板探測(cè)器
E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器
A.成像時(shí)間短
B.X線利用效率高
C.圖像質(zhì)量好
D.系統(tǒng)成本高
E.以上都是
A.X線-電信號(hào)-數(shù)字圖像
B.X線-可見光-電信號(hào)-數(shù)字圖像
C.X線-可見光-電信號(hào)-模擬圖像
D.X線-電信號(hào)-熒光屏-模擬圖像
E.X線-電信號(hào)-熒光屏-數(shù)字圖像
A.成像環(huán)節(jié)少
B.吸收率高
C.靈敏度高
D.量子檢出效率高
E.無電離輻射
A.對(duì)比度好
B.分辨率高
C.成像速度慢
D.可以動(dòng)態(tài)成像
E.視野大
A.可見光
B.電子空穴對(duì)
C.熒光
D.正電子
E.低能X射線
A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激勵(lì)熒光體
D.光電倍增管
E.CCD
最新試題
在CR的四象限理論中,對(duì)圖像進(jìn)行放大處理,對(duì)應(yīng)在()
場(chǎng)效應(yīng)管的作用是()
能用于IP的是()
CR的中文全稱為()
DR探測(cè)器可用的是()
關(guān)于CR的信息采集敘述錯(cuò)誤的是()
間接DR中,位于FPD頂層的是()
讀取裝置使用的能源是()
DR使用的檢測(cè)裝置是()
CR攝影和常規(guī)X線攝影不同之處在于()