A.非晶硒
B.碘化銫
C.鎢酸鈣
D.非晶硅
E.CCD
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.薄膜晶體管技術(shù)
B.光敏照相機(jī)技術(shù)
C.光電倍增管技術(shù)
D.光激勵(lì)發(fā)光技術(shù)
E.非晶硒技術(shù)
A.Ⅱ+TV攝像機(jī)
B.成像板
C.閃爍體+CCD攝像機(jī)陣列
D.直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
E.間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
A.硒鼓檢測(cè)器
B.IP成像轉(zhuǎn)換器
C.直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
D.間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
E.多絲正比室檢測(cè)器
A.成像方式
B.操作方式
C.床旁攝影
D.可應(yīng)用于常規(guī)攝影
E.與常規(guī)X線設(shè)備匹配
A.圖像存儲(chǔ)
B.成像能源
C.轉(zhuǎn)換介質(zhì)
D.成像方式
E.傳輸方式
A.有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型
B.其極限分辨率比屏/片系統(tǒng)低
C.其MTF比屏/片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏/片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高
A.IP由基層、熒光體層和保護(hù)層構(gòu)成
B.IP由基層、晶體層構(gòu)成
C.IP用于檢測(cè)圖像數(shù)據(jù)
D.IP用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)
E.IP用于傳輸圖像數(shù)據(jù)
A.400
B.200
C.100
D.50
E.10
A.直接探測(cè)器
B.間接探測(cè)器
C.模擬探測(cè)器
D.平板探測(cè)器
E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器
A.成像時(shí)間短
B.X線利用效率高
C.圖像質(zhì)量好
D.系統(tǒng)成本高
E.以上都是
最新試題
CR的成像是利用()
CR系統(tǒng)中,直接記錄X線影像信息的載體是()
直接平板探測(cè)器的線性度范圍是()
讀取裝置使用的能源是()
含5個(gè)結(jié)晶水的硫代硫酸鈉是()
FPD能夠成為平板形狀,主要是探測(cè)器的單元陣列采用的是()
CR圖像與X線成像比較,哪項(xiàng)表述不正確()
屏/片系統(tǒng)成像與數(shù)字平板X線攝影的共同之處是()
傳統(tǒng)X射線攝影其量子檢測(cè)效率僅為()
讀取裝置輸出的信號(hào)是()