單項(xiàng)選擇題關(guān)于熒光免疫技術(shù)，下列說法正確的是（）

A.發(fā)射光譜指固定檢測(cè)發(fā)射波長(zhǎng)，在不同波長(zhǎng)的激發(fā)光激發(fā)樣品所記錄到的相應(yīng)的熒光發(fā)射強(qiáng)度
B.熒光分子不會(huì)將全部吸收的光能都轉(zhuǎn)變成熒光
C.熒光效率=激發(fā)光強(qiáng)度／熒光強(qiáng)度
D.選擇激發(fā)光波長(zhǎng)最接近于熒光分子的最大發(fā)射光波峰，且測(cè)定光波長(zhǎng)接近于最大吸收峰波長(zhǎng)時(shí)，得到的熒光強(qiáng)度最大
E.激發(fā)光譜指固定激發(fā)波長(zhǎng)，在不同波長(zhǎng)下所記錄到的樣品發(fā)射熒光的相對(duì)強(qiáng)度


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于熒光免疫技術(shù)表達(dá)錯(cuò)誤的是（）

A.是最早建立的標(biāo)記免疫技術(shù)
B.Coons于1941年首次采用熒光素進(jìn)行標(biāo)記而獲得成功
C.傳統(tǒng)的熒光抗體技術(shù)是以熒光物質(zhì)標(biāo)記抗體而進(jìn)行抗原定位的技術(shù)
D.熒光免疫技術(shù)可應(yīng)用于定量測(cè)定
E.熒光測(cè)定中的本底較高

2.單項(xiàng)選擇題比較RIA和IRMA的說法錯(cuò)誤的是（）

A.RIA所用抗體為多克隆性，對(duì)抗體親和力的要求高，用量少
B.IRMA對(duì)抗體親和力的要求不及RIA，但用量大
C.RIA可以測(cè)定大小分子抗原
D.IRMA反應(yīng)易受交叉反應(yīng)物的干擾，測(cè)定特異性不及RIA
E.IRMA只能測(cè)定至少有兩個(gè)抗原決定簇的抗原

3.單項(xiàng)選擇題在RIA測(cè)定中，分離結(jié)合與游離標(biāo)記物的方法，下列說法正確的是（）

A.第二抗體沉淀法中的第二抗體不具有種屬特異性
B.PEG沉淀法不能沉淀大分子蛋白質(zhì)
C.與PR試劑法比較，PEG法節(jié)省PEG用量
D.RIA中活性炭吸附法主要用于測(cè)定小分子抗原或藥物
E.活性炭吸附法中小分子抗原或半抗原留在溶液中

4.單項(xiàng)選擇題下列不屬于PEG沉淀法的特點(diǎn)的是（）

A.能沉淀抗原抗體復(fù)合物
B.能沉淀小分子抗原
C.沉淀完全且經(jīng)濟(jì)方便
D.非特異結(jié)合率較高
E.溫度高于30℃時(shí)，沉淀物易復(fù)溶

5.單項(xiàng)選擇題RIA中理想的分離結(jié)合與游離標(biāo)記物方法的特點(diǎn)通常不包括（）

A.分離徹底、迅速
B.分離試劑和分離過程不影響反應(yīng)平衡
C.效果不受反應(yīng)介質(zhì)因素的影響
D.操作應(yīng)簡(jiǎn)單、重復(fù)性好且較經(jīng)濟(jì)
E.低溫下進(jìn)行

6.單項(xiàng)選擇題關(guān)于放射免疫技術(shù)中滴度的說法正確的是（）

A.是反映抗血清中抗體含量的相對(duì)參數(shù)
B.是抗血清稀釋至能與抗原發(fā)生有效反應(yīng)的最小稀釋度
C.是能使抗血清中有效抗體與抗原發(fā)生反應(yīng)的最小濃度
D.一般指結(jié)合100％標(biāo)記抗原時(shí)，抗血清的稀釋度
E.常采用將一株抗血清作系列稀釋后再與標(biāo)記抗原反應(yīng)

8.單項(xiàng)選擇題關(guān)于放射免疫技術(shù)中免疫活性的敘述正確的是（）

A.方法是用少量的抗體與過量的標(biāo)記物反應(yīng)，然后測(cè)定與抗體結(jié)合部分的放射性
B.免疫活性越大，表示被標(biāo)記物損傷越少
C.免疫活性應(yīng)小于80％
D.反映的是標(biāo)記過程中的抗體受損情況
E.免疫活性的計(jì)算有計(jì)算法和自身置換法

9.單項(xiàng)選擇題關(guān)于放射化學(xué)純度的敘述正確的是（）

A.是指單位標(biāo)記物中結(jié)合于被標(biāo)記物上的放射性強(qiáng)度
B.一般要求小于95％
C.常用的測(cè)定方法是利用三氯醋酸將待測(cè)樣品中所有蛋白質(zhì)沉淀
D.該參數(shù)是觀察在洗脫期內(nèi)標(biāo)記物脫碘程度的重要指標(biāo)
E.常用Ci／g、mCi／mg、Ci／mmol等單位表示

10.單項(xiàng)選擇題關(guān)于比放射性的敘述正確的是（）

A.比放射性是指單位標(biāo)記物中結(jié)合于被標(biāo)記物上的放射性占總放射性的比率
B.比放射性是觀察在貯存期內(nèi)標(biāo)記物脫碘程度的指標(biāo)
C.比放射性是指單位化學(xué)量標(biāo)記物中所含的放射性強(qiáng)度
D.相同放射性強(qiáng)度時(shí)，高比放射性者標(biāo)記物用量大
E.比放射性=（標(biāo)記物總放射性／總投入放射性）×100％