A.0
B.aσ/ε0r)er
C.rσ/4πε0A.er
D.∞
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A.4πε0a
B.4πε0/1nR0
C.1/4πε0a
D.4πε0a2
如圖10-72所示,真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球,其電荷量為q,帶電球外的電場(chǎng)為()。
A.0
B.
C.
D.∞
A.
B.
C.
D.
如圖10-71,半徑為a,電荷線(xiàn)密度ρ(r)為常數(shù)的均勻帶電圓環(huán)在軸線(xiàn)上的電場(chǎng)強(qiáng)度為()。
A.
B.
C.
D.
A.Q/4πε0R2
B.Q/4πε0R
C.Q/2πε0R2
D.Q/4πR
最新試題
半徑R0=0.5m的半球形接地電極,淺埋于電導(dǎo)率為γ=1.91×10-2S/m的土壤中(圖10-82),該半球電極的接地電阻為()Ω。
在平行板電容器中,有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)(圖10-81),它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S/m,γ2=1×10-8S/m,極板面積S=0.66m2,每層介質(zhì)厚度d=0.6cm,則電容器的漏電導(dǎo)G=()S。
如圖10-79所示,一個(gè)直徑為1m的球形金屬接地極,深埋于電導(dǎo)率為σ=1.91×10-2S/m的土壤中,該接地極的接地電阻為()Ω。
以點(diǎn)電荷Q所在點(diǎn)為球心,距點(diǎn)電荷Q的距離R處的電場(chǎng)強(qiáng)度E:()。
如下幾種說(shuō)法,正確的有()。
真空中有一個(gè)半徑為a的金屬球,其電容為()。
如圖10-74所示,真空中有一無(wú)限大帶電平板,其上電荷密度為σ,在與其相距x的A點(diǎn)處電場(chǎng)強(qiáng)度為()。
如圖10-72所示,真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球,其電荷量為q,帶電球內(nèi)的電場(chǎng)為()。
圖10-66所示電路在達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后移動(dòng)R1上的滑動(dòng)觸點(diǎn),該電路將產(chǎn)生過(guò)渡過(guò)程。這是因?yàn)椋ǎ?/p>
在圖10-67所示電路中,開(kāi)關(guān)S在位置1的時(shí)間常數(shù)為τ1,在位置2的時(shí)間常數(shù)為τ2,τ1和τ2的關(guān)系是()。