A.8.86mA
B.7.02μA
C.3.51μA
D.1.76mA
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在平行板電容器中，有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導(dǎo)G=（）S。
A.10-7
B.4×10-8
C.2×10-7
D.10-8
如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。
A.0.5MΩ，
B.1.0kΩ
C.1.0MΩ
D.0.5kΩ
如圖10-79所示，一個(gè)直徑為1m的球形金屬接地極，深埋于電導(dǎo)率為σ=1．91×10-2S／m的土壤中，該接地極的接地電阻為（）Ω。
A.12.8
B.8.33
C.1.67
D.16.66
如圖10-78所示，一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm，外導(dǎo)體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V（以外導(dǎo)體為參考點(diǎn)）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場(chǎng)強(qiáng)度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。
A.333.3
B.666.7
C.500
D.1000
已知圖10-77中電容器極板間的距離為d，極板面積為S，ε1介質(zhì)厚度為d／2，則該電容器的電容應(yīng)為（）。
A.ε0S／d
B.[（ε0+ε1）／ε0ε1]2S／d
C.[ε0ε1／（ε0+ε1）]2S／d
D.ε1／d
最新試題
如圖10-75所不，兩無(wú)限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號(hào)電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場(chǎng)強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。
在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì)，它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ，μ2=3μ0，在外部作用下交界面上A點(diǎn)下部磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2=12i+16j，則A點(diǎn)上部的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1為（）。
在R、L串聯(lián)電路中，激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生的電流響應(yīng)（零狀態(tài)響應(yīng)）iL（t）中（）。
在圖10-67所示電路中，開關(guān)S在位置1的時(shí)間常數(shù)為τ1，在位置2的時(shí)間常數(shù)為τ2，τ1和τ2的關(guān)系是（）。
如圖10-72所示，真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球外的電場(chǎng)為（）。
半徑R0=0．5m的半球形接地電極，淺埋于電導(dǎo)率為γ=1．91×10-2S／m的土壤中（圖10-82），該半球電極的接地電阻為（）Ω。
在圖10-61所示電路中，開關(guān)S在t=0瞬間閉合，則i2（0+）=（）A。
均勻傳輸線的原參數(shù)：R0=6．5Ω／km，L0=2．29mH／km，C0=5．22×103pF／km，C0=0．5×10-6S／km，則傳輸線在頻率為1000Hz時(shí)的傳播速度v+、波長(zhǎng)λ分別為（）。
如圖10-74所示，真空中有一無(wú)限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點(diǎn)處電場(chǎng)強(qiáng)度為（）。
如圖10-72所示，真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球內(nèi)的電場(chǎng)為（）。