A. 1K×4位芯片串聯(lián)
B. 1K×8位芯片并聯(lián)
C. 2K×4位芯片串聯(lián)
D. 2K×4位芯片并聯(lián)
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A. 00
B. 01
C. 10
D. 11
A. 統(tǒng)一編址是將I/O地址看作是存儲器地址的一部分，可用專門的I/O指令對設(shè)備進(jìn)行訪問
B. 獨(dú)立編址是指I/O地址和存儲器地址是分開的，所以對I/O訪問必須有專門的I/O指令
C. 統(tǒng)一編址是指I/O地址和存儲器地址是分開的，所以可用訪存指令實(shí)現(xiàn)CPU對設(shè)備的訪問
D. 獨(dú)立編址是將I/O地址看作是存儲器地址的一部分，所以對I/O訪問必須有專門的I/O指令
A. 主存比輔存小，但存取速度快
B. 主存比輔存大，且存取速度快
C. 主存比輔存小，且存取速度慢
D. 主存比輔存大，但存取速度快
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
A. 指令周期、機(jī)器周期、節(jié)拍
B. 指令周期、機(jī)器周期、時鐘周期
C. 機(jī)器周期、節(jié)拍、脈沖
D. 指令周期、微指令周期、時鐘周期
最新試題
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的，在某級觀察者角度看到的機(jī)器被稱為（），只需要通過該級語言來了解和使用。
計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為（）。
RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。
將十六進(jìn)制數(shù)（1A5）16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的（）組成的。
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。
柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計(jì)算D.數(shù)據(jù)計(jì)算E.控制器設(shè)計(jì)簡單F.控制器設(shè)計(jì)復(fù)雜（1）一個指令周期中，（）是每一條指令都必須執(zhí)行的，所完成的功能對所有指令都相同。（2）一個指令周期中，（）對多數(shù)指令所完成的功能是類似的。（3）一條指令在執(zhí)行過程中，一定要完成（）并保存，以保證程序自動連續(xù)執(zhí)行。（4）指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是（）。（5）指令流水線方式是提高計(jì)算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施，但它的（）。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
存儲器堆棧需要設(shè)置一個專門的硬件寄存器，稱為（），而寄存器堆棧則沒有。